致密纳米材料的制备越来越受到重视。利用传统的热压烧结和热等静压烧结等方法来制备纳米材料时，很难---能同时达到纳米尺寸的晶粒和完全致密的要求。利用sps技术，由于加热速度快，烧结时间短，可---抑制晶粒粗化。例如：用平均粒度为5μm的tin粉经sps烧结（1963k，铜基粉末冶金，196～382mpa，烧结5min），可得到平均晶粒65nm的tin密实体[3]。文献[3]中引用有关实例说明了sps烧结中晶粒长---到---限度的抑制，所制得烧结体无疏松和明显的晶粒长大。
在非晶合金的制备中，要选择合金成分以---合金具有极低的非晶形成临界冷却速度，从而获得---的非晶形成能力。在制备工艺方面主要有金属浇铸法和水淬法，其关键是快速冷却和控制非均匀形核。由于制备非晶合金粉末的技术相对成熟，因此多年来，粉末冶金公司，采用非晶粉末在低于其晶化温度下进行温挤压、温轧、冲击固化和等静压烧结等方法来制备大块非晶合金，
sps制备半导体热电材料的优点是，可直接加工成圆片，不需要单向生长法那样的切割加工，节约了材料，山东粉末冶金，提高了生产效率。
热压和冷压-烧结的半导体性能低于晶体生长法制备的性能。现用于热电致冷的半导体材料的主要成分是bi，sb，te和se，目前的z值为3.0×10/k，而用sps制备的热电半导体的z值已达到2.9～3.0×10/k，几乎等于单晶半导体的性能[30]。表2是sps和其他方法生产bite材料的比较。
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